半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.27)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？

參考答案：間接復(fù)合效應(yīng)是指非平衡載流子通過位于禁帶中特別是位于禁帶中央的雜質(zhì)或缺陷能級Et而逐漸消失的效應(yīng)，Et的存在可能大大促進...

2.問答題n型硅中，摻雜濃度ND=10¹⁶cm^-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=10¹⁴cm^-3。計算無光照和有光照的電導(dǎo)率。

3.名詞解釋能帶

參考答案：晶體中，電子的能量是不連續(xù)的，在某些能量區(qū)間能級分布是準(zhǔn)連續(xù)的，在某些區(qū)間沒有能及分布。這些區(qū)間在能級圖中表現(xiàn)為帶狀，稱...

4.問答題解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？

耿氏振蕩來源于半導(dǎo)體內(nèi)的負微分電導(dǎo)，振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長度。

5.問答題描述半導(dǎo)體中電子運動為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念，用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運動有何局限性。

參考答案：引進有效質(zhì)量的意義在于它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用，使得在解決半導(dǎo)體中電子在外力作用下的運動規(guī)律時，可以不涉及半導(dǎo)體內(nèi)部...

6.問答題 兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n₁/n₂=e。
（1）如果第一塊材料的費米能級在導(dǎo)帶之下3k₀T，求第二塊材料的費米能級的位置。
（2）兩塊材料中空穴密度之比。

（1）設(shè)第一塊和第二塊材料的費米能級分別為E_F1和E_F2，利用

7.問答題試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負溫度系數(shù)的原因。

參考答案：電子的共有化運動導(dǎo)致孤立原子的能級形成能帶，即允帶和禁帶。溫度升高，則電子的共有化運動加劇，導(dǎo)致允帶進一步分裂、變寬；允...

8.問答題 磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)ε_r=11.1，空穴的有效質(zhì)量m_p^*=0.86m₀，m₀為電子的慣性質(zhì)量，求
①受主雜質(zhì)電離能；
②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

9.填空題溫度升高時，二極管的反向伏安特性曲線（）。說明此時反向電流（）。

10.問答題什么叫雜質(zhì)補償，什么叫高度補償?shù)陌雽?dǎo)體，雜質(zhì)補償有何實際應(yīng)用。

參考答案：當(dāng)半導(dǎo)體中既有施主又有受主時，施主和受主將先相互抵消，剩余的雜志最后電離，這就是雜質(zhì)補償，若施主電子剛好填充受主能級，雖...