<strike id="64ev9"></strike>

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.23)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題以硅的本征激發(fā)為例，說明半導(dǎo)體能帶圖的物理意義及其與硅晶格結(jié)構(gòu)的聯(lián)系，為什么電子從其價(jià)鍵上掙脫出來所需的最小能量就是半導(dǎo)體的禁帶寬度？

參考答案：沿不同的晶向，能量帶隙不一樣。因?yàn)殡娮右獢[脫束縛就能從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，這個(gè)時(shí)候的能量就是最小能量，也就是禁帶寬度。

2.問答題最高電阻率是本征電阻率的多少倍？

3.問答題簡(jiǎn)述電流-電壓關(guān)系（計(jì)算）。

4 與絕緣體相比，半導(dǎo)體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量（）

5.填空題受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（），施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（），本征激發(fā)向半導(dǎo)體提供（）。

參考答案：空穴；電子；電子和空穴

6.問答題簡(jiǎn)述光電二極管的光電流的計(jì)算公式。

7.問答題 在圖所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓U_D＝1.5V，正向電流在5～15mA時(shí)才能正常工作。試問：
（1）開關(guān)S在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光？
（2）R的取值范圍是多少？

8.問答題以施主雜質(zhì)電離90%作為強(qiáng)電離的標(biāo)準(zhǔn)，求摻砷的n型鍺在300K時(shí)，以雜質(zhì)電離為主的飽和區(qū)摻雜質(zhì)的濃度范圍。

9.名詞解釋施主雜質(zhì)

在半導(dǎo)體中電離時(shí)，能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)。

10.問答題雙極集成電路工藝中的七次光刻和四次擴(kuò)散分別指什么？

參考答案：七次光刻：N+隱埋層擴(kuò)散孔光刻； P+隔離擴(kuò)散孔光刻；P型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻；N+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散孔光刻；引線接觸孔光刻...