半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.19)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題在一定溫度下，與費(fèi)米能級(jí)持平的量子態(tài)上的電子占據(jù)概率為（），高于費(fèi)米能級(jí)2kT能級(jí)處的占據(jù)概率為（）。

參考答案：1/2；1/1+exp（2）

2.問答題計(jì)算硅在-78℃，27℃，300℃時(shí)的本征費(fèi)米能級(jí)，假定它在禁帶中間合理嗎？

3.問答題 證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項(xiàng)的物理意義。

4 在雙端輸入的差動(dòng)放大電路中，輸入信號(hào)U_i1和U_i2分別為60mV和40mV，則共模輸入信號(hào)U_ic和差模輸入信號(hào)U_id分別為（）mV。

5 MIS結(jié)構(gòu)發(fā)生多子積累時(shí)，表面的導(dǎo)電類型與體材料的類型（）。

6.問答題什么是半導(dǎo)體的共摻雜？

摻入兩種或兩種元素以上

7.問答題試分別計(jì)算本征Si在77K、300K和500K下的載流子濃度。

8.問答題PN結(jié)的兩種擊穿機(jī)制有什么不同？

9.問答題設(shè)n型硅單晶襯底是摻銻的，銻的電離能為0.039eV，300K時(shí)的EF位于導(dǎo)帶下面0.026eV處，計(jì)算銻的濃度和導(dǎo)帶中電子濃度。

10.判斷題N型半導(dǎo)體可以通過在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)元素而得到。