半導體物理章節(jié)練習(2020.05.25)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題間接復合效應與陷阱效應有何異同？

參考答案：間接復合效應是指非平衡載流子通過位于禁帶中特別是位于禁帶中央的雜質(zhì)或缺陷能級Et而逐漸消失的效應，Et的存在可能大大促進...

2.問答題畫出問題（2）中雜質(zhì)半導體的能帶圖，并確定費米能級相對于E_C的位置

3 P型半導體中的多子是（）。

4 二極管電路如下圖所示，判斷圖中二極管是導通還是截止后，可確定電路的輸出電壓V_o為（）。（設(shè)二極管的導通壓降0）

5.填空題在熱力學溫度零度時，能量比F_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（），當溫度大于熱力學溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（）。

參考答案：等于0；大于1/2

6.問答題把一種復合中心雜質(zhì)摻入本征硅內(nèi)，如果它的能級位置在禁帶中央，試證明小注入時的壽命τ=τn+τp。

7.問答題舉例說明雜質(zhì)補償作用。

8.問答題若費米能級E_F=5eV，利用費米函數(shù)計算在什么溫度下電子占據(jù)E=5.5eV能級的幾率為1%？計算在該溫度下電子分布幾率從0.1～0.9所對應的能量區(qū)間。

9.問答題一塊電阻率為3Ω∙cm的n型硅樣品，空穴壽命τ_p=5us，在其平面形的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過剩濃度（∆p）=10¹³cm^-3。計算從這個表面擴散進入半導體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠處過剩空穴濃度等于10¹²cm^-3？

10.問答題集成運放的版圖設(shè)計過程與數(shù)字集成電路一樣，分為幾個步驟？

參考答案：①劃分隔離區(qū)；
②元器件圖形和尺寸設(shè)計（晶體管的圖形尺寸；電阻的設(shè)計；電容的設(shè)計）；
③布局和布線（力求...