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問答題

【計算題】一塊電阻率為3Ω∙cm的n型硅樣品，空穴壽命τ_p=5us，在其平面形的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過剩濃度（∆p）=10¹³cm^-3。計算從這個表面擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠(yuǎn)處過剩空穴濃度等于10¹²cm^-3？

答案：

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【計算題】在電阻率為1Ω∙cm的p型硅半導(dǎo)體區(qū)域中，摻金濃度N_t=10¹⁵cm^-3，由邊界穩(wěn)定注入的電子濃度（∆n）₀=10¹⁰cm^-3，試求邊界處電子擴(kuò)散電流。

答案：

【計算題】設(shè)空穴濃度是線性分布，在3us內(nèi)濃度差為10¹⁵cm^-3，u_p=400cm₂/（V∙s）。試計算空穴擴(kuò)散電流密度。

答案：

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