問答題

【計算題】設(shè)空穴濃度是線性分布，在3us內(nèi)濃度差為10¹⁵cm^-3，u_p=400cm₂/（V∙s）。試計算空穴擴(kuò)散電流密度。

答案：

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【計算題】室溫下，p型半導(dǎo)體中的電子壽命為τ=350us，電子的遷移率u_n=3600cm^-2/（V∙s）。試求電子的擴(kuò)散長度。

答案：

【計算題】在摻雜濃度N^D=10¹⁶cm^-3，少數(shù)載流子壽命為10us的n型硅中，如果由于外界作用，少數(shù)載流子全部被清除，那么在這種情況下，電子-空穴對的產(chǎn)生率是多大？（E_t=E_i）。

答案：

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