半導體物理問答題每日一練(2020.05.27)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題說明pn結(jié)空間電荷區(qū)如何形成？

2.問答題請解釋什么是肖特基勢壘二極管，并說明其與pn結(jié)二極管的異同。

3.問答題簡述集成電阻器和電容器的優(yōu)缺點。

4.問答題有一塊n型硅樣品，壽命是1us，無光照時電阻率是10Ω∙cm。今用光照射該樣品，光被半導體均勻的吸收，電子-空穴對的產(chǎn)生率是10²²cm^-3∙s^-1，試計算光照下樣品的電阻率，并求電導中少數(shù)在流子的貢獻占多大比例？

5.問答題試用一維非均勻摻雜（摻雜濃度隨x的增加而下降），非簡并p型半導體模型導出愛因斯坦關系式：