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問答題

【計算題】有一塊n型硅樣品，壽命是1us，無光照時電阻率是10Ω∙cm。今用光照射該樣品，光被半導(dǎo)體均勻的吸收，電子-空穴對的產(chǎn)生率是10²²cm^-3∙s^-1，試計算光照下樣品的電阻率，并求電導(dǎo)中少數(shù)在流子的貢獻(xiàn)占多大比例？

答案：

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【案例分析題】用強(qiáng)光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為，空穴壽命為τ。求出光照下達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時的過載流子濃度。

答案：

【案例分析題】用強(qiáng)光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為，空穴壽命為τ。寫出光照下過剩載流子所滿足的方程

答案：