耿氏振蕩來源于半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)微分電導(dǎo),振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長度。
多能谷之間有效質(zhì)量不同導(dǎo)致遷移率不同,當(dāng)電子從一能谷躍遷到另一能谷時(shí),遷移率會減低,導(dǎo)致導(dǎo)電性降低。
進(jìn)行霍爾系數(shù)測量和回旋共振法測有效質(zhì)量。