半導體集成電路章節(jié)練習(2020.04.11)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：sram：靜態(tài)隨機存儲器，存取速度快，但容量小，掉電后數(shù)據(jù)會丟失，制造成本較高，通常用來作為快取(CACHE)&ensp... 參考答案：①STI etch（刻蝕）的角度；
②STI etch 的深度；
③S... 參考答案：熱氧化過程中，氧化層的增厚包括三個過程：氧化劑從氣體內(nèi)部以擴散形式輸運到氣體—氧化層界面：氧化劑穿過滯流層到... 參考答案：制造器件的核心則是形成PN結(jié)；半導體工藝的基本原理：“摻雜”和“補償”。... 參考答案：① Random defect ： defect分布很散亂
②&ens... 參考答案：III-V族化合物：砷化鎵（GaAs）鍺硅（SiGe），主要用于高速高頻領域；
II-VI族化合物：碲化鎘（C... 參考答案：形成歐姆接觸電極，但在外延層淀積引出處進行高濃度的重摻雜，且穿透外延層和埋層相連，即使集電極歐姆接觸為深摻雜的n型接觸。... 參考答案：接觸窗電阻，具體指金屬和半導體（contact）或金屬和金屬(via)，在相接觸時在節(jié)處所形成的電阻，一般要求此電阻越小...
