半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.06.09)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟？

參考答案：P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線

2.問答題什么是PCM SPEC？

參考答案：PCM (Process control monitor) SPEC廣義而言是指芯片制造過程中所有工藝量測(cè)項(xiàng)目的規(guī)格,狹...

3.問答題 結(jié)合下面電路，說明動(dòng)態(tài)組合邏輯電路的工作原理。

參考答案：動(dòng)態(tài)組合邏輯電路由輸出信號(hào)與電源之間插入的時(shí)鐘信號(hào)PMOS,NMOS邏輯網(wǎng)和邏輯網(wǎng)與地之間插入的時(shí)鐘信號(hào)NMOS組成。當(dāng)...

4.問答題什么是 device breakdown voltage？

參考答案：指崩潰電壓（擊穿電壓），在 Vg=Vs=0時(shí)，Vd所能承受的最大電壓，當(dāng)Vd大于此電壓時(shí)，源、漏之間形成導(dǎo)電溝...

5.問答題PIE工程師每天來公司需要Check哪些項(xiàng)目（開門五件事）？

參考答案：① Check MES系統(tǒng)，察看自己Lot情況
② 處理in&ens...

6.問答題什么是CMOS電路？簡(jiǎn)述CMOS反相器的工作原理及特點(diǎn)。

7.問答題什么是中測(cè)？什么是成測(cè)？探針測(cè)試和芯片成品率的統(tǒng)計(jì)分別是在哪一次測(cè)試？

參考答案：中測(cè)：封裝前對(duì)完成加工的硅片上的所有芯片進(jìn)行的探針測(cè)試和電學(xué)測(cè)試，已選擇出可用的芯片。
成測(cè)：對(duì)封裝后的芯片進(jìn)...

8.問答題 仔細(xì)觀察下面RS觸發(fā)器的版圖，判斷它是或非門實(shí)現(xiàn)還是與非門實(shí)現(xiàn)。

或非門

9.問答題試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

B：P型雜質(zhì)，OED；
P：N型雜質(zhì)，深結(jié)，OED；
AS：N型雜質(zhì)，離子注入精確控制結(jié)深。

10.名詞解釋過渡區(qū)寬度

參考答案：輸出不確定區(qū)域（非靜態(tài)區(qū)域）寬度，VW=VIHmin-VILmax。