問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟？

答案： P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線

你可能感興趣的試題

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟？

答案：第一次光刻：N+隱埋層擴(kuò)散孔光刻
第二次光刻：P隔離擴(kuò)散孔光刻
第三次光刻：P型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】在制作晶體管的時(shí)候，襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響？

答案：電阻率過(guò)大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴(kuò)大飽和壓降，若過(guò)小耐壓低，結(jié)電容增大，且外延時(shí)下推大