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問答題

【簡答題】簡述硅柵p阱CMOS的光刻步驟？

答案： P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線

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第二次光刻：P隔離擴(kuò)散孔光刻
第三次光刻：P型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻

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答案：電阻率過大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴(kuò)大飽和壓降，若過小耐壓低，結(jié)電容增大，且外延時下推大

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