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問答題
【簡答題】氧化硅的熱動力學生長過程中包括哪幾個主要過程？并說明每一種過程中的什么因素對氧化生長速率有影響？其中決定因素是什么？
答案：
熱氧化過程中，氧化層的增厚包括三個過程：氧化劑從氣體內部以擴散形式輸運到氣體—氧化層界面：氧化劑穿過滯流層到...
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問答題
【簡答題】熱生長厚度是2000A的氧化層后，Si-SiO2的界面與原來的硅表面的高度差為多少？為什么？
答案：
氧化中硅消耗的厚度占總氧化物厚度的46%，即意味著每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。
920A
問答題
【簡答題】什么是摻氯氧化？試說明氧化工藝中摻氯的主要優(yōu)點。
答案：
在集成電路制造中，為了改善氧化硅膜的質量，在氧化的全過程或部分氧化工藝中，在氧化劑的氣氛中加入一定數量的氯，將氯結合到氧...
