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問答題

【簡答題】熱生長厚度是2000A的氧化層后，Si-SiO₂的界面與原來的硅表面的高度差為多少？為什么？

答案：

氧化中硅消耗的厚度占總氧化物厚度的46%，即意味著每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。
920A

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答案：原因：
（1）由于水汽的進入，是網(wǎng)絡(luò)中大量的橋鍵氧變?yōu)榉菢蜴I氧的羥基，使氧化層結(jié)構(gòu)變疏松，密度降低，質(zhì)量不如干...