溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù)β（），反向飽和電流ICBO（），正向結(jié)電壓UBE（）。
某單級放大電路的通頻帶為fB1，由兩個(gè)這樣的單級放大器構(gòu)成一個(gè)兩級放大電路，其總的通頻帶fB為（）
摻施主濃度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子∆n=∆p=1014cm-3。試計(jì)算這種情況下的準(zhǔn)費(fèi)米能級位置，并和原來的費(fèi)米能級作比較。
若鍺中施主雜質(zhì)電離能△ED=0.04eV，施主雜質(zhì)濃度分別為1015cm-3及1018cm-3。計(jì)算 ①99%電離； ②90%電離； ③50%電離時(shí)溫度各為多少？
