集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.03.11)

來源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題旋涂膜層是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍應(yīng)用于平坦化和填充縫隙。

2.判斷題PSG高溫回流需要的溫度要比BPSG高。

3.判斷題SiO₂中5價的網(wǎng)絡(luò)形成者可使結(jié)構(gòu)強度增加，而3價的網(wǎng)絡(luò)形成者可使結(jié)構(gòu)強度減小。

4.問答題簡述引線框架材料？

參考答案：引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）實現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電...

5.名詞解釋IDM

集成器件制造商。

6.填空題自持放電的形式有（）、（）、（）、（）。

參考答案：輝光放電；弧光放電；電暈放電；火花放電

7.問答題集成電路制造工藝中，主要有哪兩種隔離工藝？目前的主流深亞微米隔離工藝是哪種器件隔離工藝，為什么？

參考答案：集成電路制造工藝中，主要有局部氧化工藝－LOCOS；淺槽隔離技術(shù)－STI兩種隔離工藝。主流深亞微米隔離工藝是：STI。S...

8.判斷題化學(xué)機械平坦化，簡稱CMP，它是一種表面全局平坦化技術(shù)。

9.名詞解釋平均投影射程Rp

所有入射離子的投影射程的平均值。

10.判斷題熱氧化過程中是硅向二氧化硅外表面運動，在二氧化硅表面與氧化劑反應(yīng)生成二氧化硅。