集成電路工藝原理章節(jié)練習(2019.04.30)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：工藝腔；硅片傳輸系統(tǒng)；溫控系統(tǒng) 參考答案：直流濺射；射頻濺射；偏壓濺射；磁控濺射（反應濺射、離子束濺射） 參考答案：由于光刻膠無法承受高溫過程，擴散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。當原子擴散進入硅片，它們向各個方向運動：假如雜質(zhì)原子沿硅片表... 參考答案：普通濺射法有兩個缺點：一是濺射方法淀積薄膜的速率低；二是所需的工作氣壓較高，這兩者綜合效果是氣體分子對薄膜產(chǎn)生的污染的可... 參考答案：
擴散開始時，表面放入一定量的雜質(zhì)源，而在以后的擴散過程中不再有雜質(zhì)加入，此種擴散稱為有限源擴散。
參考答案：
IC設計公司，只設計不生產(chǎn)。
