微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.08.21)
來源:考試資料網(wǎng)1.問答題光刻膠厚度隨什么變化?
參考答案:粘度越高轉(zhuǎn)速越低,光刻膠就越厚
參考答案:在顯影時曝光區(qū)域由溶劑引起的泡脹;曝光時光刻膠可與氮?dú)夥磻?yīng)從而抑制其交聯(lián) 。
4.名詞解釋平均自由程
參考答案:粒子和粒子碰撞前能夠移動的平均距離。
5.問答題干法刻蝕是如何分類和定義的?
6.問答題光刻技術(shù)中的常見問題有那些?
參考答案:半導(dǎo)體器件和集成電路的制造對光刻質(zhì)量有如下要求:
一是刻蝕的圖形完整,尺寸準(zhǔn)確,邊緣整齊陡直;
二是...
一是刻蝕的圖形完整,尺寸準(zhǔn)確,邊緣整齊陡直;
二是...
7.名詞解釋擴(kuò)散法(diffusion)
參考答案:
是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐中,將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)的一種方法。
8.問答題寫出計(jì)算焦深的公試。
參考答案:DOF=入/(2*NA)2
參考答案:光刻(photolithography)就是將掩模版(光刻版)上的幾何圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面的對光輻照敏感薄膜材...
參考答案:微分;大;小
