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問(wèn)答題

【計(jì)算題】假設(shè)Si中空穴濃度是線性分布，在4µm內(nèi)的濃度差為2×10¹⁶cm^-3，試計(jì)算空穴的擴(kuò)散電流密度。

答案：

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】試求本征硅在室溫（300K）時(shí)的電導(dǎo)率σ_i。設(shè)電子遷移率μ_n和空穴遷移率μ_p分別為1350cm²/Vs和500cm²/Vs，本征載流子濃度n_i=1.510¹⁰/cm³。當(dāng)摻入百萬(wàn)分之一的砷（As）后，電子遷移率降低為850cm²/Vs，設(shè)雜質(zhì)全部電離，忽略少子的貢獻(xiàn)，計(jì)算其電導(dǎo)率σ，并與本征電導(dǎo)率σ_i作比較。（硅的原子密度為510²²/cm³

答案：

問(wèn)答題

【計(jì)算題】室溫（300K）下，半導(dǎo)體鍺（Ge）的本征電阻率為47Ωcm，已知其電子遷移率μ_n和空穴遷移率μ_p分別為3600cm²/Vs和1700cm²/Vs，試求半導(dǎo)體鍺的本征載流子濃度n_i。若摻入百萬(wàn)分之一的磷（P）后，計(jì)算室溫下電子濃度n₀和空穴濃度p₀和電阻率ρ。（假定遷移率不隨摻雜而變化，雜質(zhì)全部電離并忽略少子的貢獻(xiàn)，鍺的原子密度為4.4*10²²/cm³）

答案：

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