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問答題

【計算題】室溫（300K）下，半導(dǎo)體鍺（Ge）的本征電阻率為47Ωcm，已知其電子遷移率μ_n和空穴遷移率μ_p分別為3600cm²/Vs和1700cm²/Vs，試求半導(dǎo)體鍺的本征載流子濃度n_i。若摻入百萬分之一的磷（P）后，計算室溫下電子濃度n₀和空穴濃度p₀和電阻率ρ。（假定遷移率不隨摻雜而變化，雜質(zhì)全部電離并忽略少子的貢獻(xiàn)，鍺的原子密度為4.4*10²²/cm³）

答案：

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【計算題】某摻施主雜質(zhì)的非簡并Si樣品，試求E_F=（E_C+E_D）/2時施主的濃度。由于半導(dǎo)體是非簡并半導(dǎo)體，所以有電中性條件

答案：

【計算題】
現(xiàn)有一摻雜半導(dǎo)體硅材料，已測得室溫（300K）下的平衡空穴濃度為p₀=2.2510¹⁶/cm³，已知室溫下純凈單晶硅的禁帶寬度E_g=1.12eV，本征載流子濃度n_i=1.510¹⁰/cm³，室溫的kT
值為0.026eV。
1）計算該材料的平衡電子濃度n₀；
2）判別該材料的導(dǎo)電類型；
3）計算該材料的費米能級位置E_F。

答案：

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