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問(wèn)答題

【計(jì)算題】試求本征硅在室溫（300K）時(shí)的電導(dǎo)率σ_i。設(shè)電子遷移率μ_n和空穴遷移率μ_p分別為1350cm²/Vs和500cm²/Vs，本征載流子濃度n_i=1.510¹⁰/cm³。當(dāng)摻入百萬(wàn)分之一的砷（As）后，電子遷移率降低為850cm²/Vs，設(shè)雜質(zhì)全部電離，忽略少子的貢獻(xiàn)，計(jì)算其電導(dǎo)率σ，并與本征電導(dǎo)率σ_i作比較。（硅的原子密度為510²²/cm³

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