問答題

【簡答題】試說明氧化層在硅工藝中的四種主要用途及主要原因，并舉例說明各種用途的主要目的。

答案： 摻雜阻擋層；器件保護(hù)層；表面鈍化層；電學(xué)隔離層；器件介質(zhì)層。
選擇擴(kuò)散的掩蔽層：選擇擴(kuò)散從而實現(xiàn)在特定的區(qū)域里...
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問答題

【簡答題】列出氧化硅的五種主要物理參數(shù)，并說明實際中如何測試氧化層厚度。
答案：

密度，折射率，電阻率，介電強(qiáng)度，（相對）介電常數(shù)。
實際中可用折射率，介質(zhì)強(qiáng)度和介電常數(shù)來測量。
問答題

【簡答題】試說明熱氧化反應(yīng)為什么發(fā)生在Si—SiO2界面上，以及這種反應(yīng)機(jī)制有何好處？
答案： 在無定形SiO2的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中，每個Si原子與四個氧原子形成共價鍵，而每個氧原子最多與兩個Si原子形...
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