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問答題
【簡(jiǎn)答題】列出氧化硅的五種主要物理參數(shù)，并說(shuō)明實(shí)際中如何測(cè)試氧化層厚度。
答案：
密度，折射率，電阻率，介電強(qiáng)度，（相對(duì)）介電常數(shù)。
實(shí)際中可用折射率，介質(zhì)強(qiáng)度和介電常數(shù)來(lái)測(cè)量。
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問答題
【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明熱氧化反應(yīng)為什么發(fā)生在Si—SiO2界面上，以及這種反應(yīng)機(jī)制有何好處？
答案：
在無(wú)定形SiO2的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中，每個(gè)Si原子與四個(gè)氧原子形成共價(jià)鍵，而每個(gè)氧原子最多與兩個(gè)Si原子形...
問答題
【簡(jiǎn)答題】氧化工藝產(chǎn)生的SiO2為何種類型？并說(shuō)明其結(jié)構(gòu)對(duì)其強(qiáng)度和密度的影響。
答案：
半導(dǎo)體工藝中用熱氧化法生長(zhǎng)的SiO2是典型的無(wú)定形SiO2。無(wú)定形SiO
