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單項(xiàng)選擇題
正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純,在進(jìn)行第一次熔化過后,能不能進(jìn)入第二次提純這個(gè)階段().
A、能
B、不能
C、不確定
D、有時(shí)可以,有時(shí)不可以
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單項(xiàng)選擇題
當(dāng)晶體生長的較快,內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少,晶體的電阻率().
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
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單項(xiàng)選擇題
制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是().
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
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