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單項(xiàng)選擇題
當(dāng)晶體生長的較快,內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少,晶體的電阻率().
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
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單項(xiàng)選擇題
制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是().
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
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單項(xiàng)選擇題
測量硅中氧濃度常用的方法是().
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
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