單項(xiàng)選擇題

制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.

A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液

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單項(xiàng)選擇題

測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是（）.

A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法

單項(xiàng)選擇題

下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒有坩堝的消耗，降低了成本，同時(shí)又可減少雜質(zhì)污染長度。

A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法