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單項(xiàng)選擇題

測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是（）.

A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法

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單項(xiàng)選擇題

下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒有坩堝的消耗，降低了成本，同時(shí)又可減少雜質(zhì)污染長(zhǎng)度。

A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法

單項(xiàng)選擇題

列多晶硅生長(zhǎng)過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.

A.加熱
B.化料
C.晶體生長(zhǎng)
D.冷卻

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