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光刻中影響甩膠后光刻膠膜厚的因素有()、()、()、()。
答案:
溶解度;溫度;甩膠時(shí)間;轉(zhuǎn)速
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常規(guī)硅集成電路平面制造工藝中光刻工序包括的步驟有()、()、()、()、()、()、()等。
答案:
涂膠;前烘;曝光;顯影;堅(jiān)膜;腐蝕;去膠
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特大規(guī)模集成電路(ULIC)對光刻的基本要求包括()、()、()、()、()等五個(gè)方面。
答案:
高分辨率;高靈敏度的光刻膠;低缺陷;精密的套刻對準(zhǔn);對大尺寸硅片的加工
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