問答題

【簡答題】什么是阱？CMOS工藝中阱的作用是什么？試說明CMOS雙阱工藝中的阱是如何形成的？

答案： 在硅襯底上形成的、摻雜類型或摻雜濃度與硅襯底不同的局部摻雜區(qū)域稱為阱（well），包括：n阱、p阱和雙阱（dual/tw...
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問答題

【簡答題】試說明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及為什么？
答案： LDD技術(shù)（輕摻雜漏注入技術(shù)）結(jié)構(gòu)：在溝道的漏端及源端增加低摻雜區(qū)。LDD使用的較大質(zhì)量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶...
問答題

【簡答題】試說明MOS工藝中存在的自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及他們的主要優(yōu)點(diǎn)。
答案： 源漏的自對準(zhǔn)注入（LDD）：在硅柵工藝中，利用多晶硅柵的掩蔽作用自對準(zhǔn)地進(jìn)行源漏區(qū)的雜質(zhì)注入，并同時(shí)完成多晶硅柵的雜質(zhì)注...
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