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問答題
【簡答題】試說明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及為什么？
答案：
LDD技術(shù)（輕摻雜漏注入技術(shù)）結(jié)構(gòu)：在溝道的漏端及源端增加低摻雜區(qū)。LDD使用的較大質(zhì)量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶...
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問答題
【簡答題】試說明MOS工藝中存在的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及他們的主要優(yōu)點(diǎn)。
答案：
源漏的自對(duì)準(zhǔn)注入（LDD）：在硅柵工藝中，利用多晶硅柵的掩蔽作用自對(duì)準(zhǔn)地進(jìn)行源漏區(qū)的雜質(zhì)注入，并同時(shí)完成多晶硅柵的雜質(zhì)注...
問答題
【簡答題】什么是硅柵自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)？簡單說明其主要制作步驟和主要優(yōu)點(diǎn)。
答案：
是一種在晶圓片上用單個(gè)掩模形成不同區(qū)域的的多層結(jié)構(gòu)的技術(shù)，是一種可將兩次MASK步驟合為一次，讓多個(gè)不同區(qū)域一次成形的工...
