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集成電路工藝原理問(wèn)答題每日一練(2019.12.16)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.問(wèn)答題常用的半導(dǎo)體材料為何選擇硅？

參考答案：1）硅的豐裕度。硅是地球上第二豐富的元素，占地殼成分的25%；經(jīng)合理加工，硅能夠提純到半導(dǎo)體制造所需的足夠高的純度而消耗...

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2.問(wèn)答題解釋歐姆型接觸和肖特基型接觸。

參考答案：半導(dǎo)體表面制作了金屬層后，根據(jù)金屬的種類及半導(dǎo)體摻雜濃度的不同，可形成歐姆型接觸或肖特基型接觸。
如果摻雜濃度...

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3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述什么是硅化物及其作用。

參考答案：硅化物是在高溫下難熔金屬（通常是鈦Ti、鈷Co）與硅反應(yīng)形成的金屬化合物（如TiSi₂、CoSi<...

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4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述鋁的結(jié)穿刺現(xiàn)象及解決方法。

參考答案：在純鋁和硅的界面加熱合金化過(guò)程中（450～500℃），硅開(kāi)始溶解在鋁中直到在鋁中的濃度達(dá)到0.5％，該過(guò)程消耗硅并在硅中...

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5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述輕摻雜漏（LDD）工藝目的。

參考答案：減小源漏間的穿通和溝道漏電，提高源漏擊穿電壓。