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半導(dǎo)體材料單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.04.24)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)
1
在光電轉(zhuǎn)換過(guò)程中，Si比GaAs量子效率低，因?yàn)槠洌ǎ?/a>
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2
重空穴指的是（）。
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3
用冷熱探筆法測(cè)量（）半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。
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4
下列與硼氧復(fù)合體缺陷無(wú)關(guān)的是（）。
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5
當(dāng)晶體生長(zhǎng)的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.
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