微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.12.02)
來源：考試資料網(wǎng)1.問答題描述投影掩膜版和光掩膜版的區(qū)別？
參考答案：硅平面晶體管或集成電路掩模版的制作，一般地講，要經(jīng)過原圖繪制（包括繪總圖和刻分圖）、初縮、精縮兼分步重復(fù)、復(fù)印陰版和復(fù)印...
3.問答題列舉并描述薄膜生長的三個階段。
參考答案：第一步是晶核形成：成束的穩(wěn)定小晶核形成，這一步發(fā)生在起初少量原子或分子反應(yīng)物結(jié)合起來，形成附著在硅片表面的分離的小膜層的...
參考答案：該區(qū)的少子擴散長度；線性分布
5.填空題無源基區(qū)重摻雜的目的是（）。
參考答案：為了降低體電阻
參考答案：多子；少子
9.問答題離子注入后進行退火工藝的原因是什么？
參考答案：可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動；可使注入引入的損傷得到修復(fù)；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價...
10.問答題為什么要進行顯影后檢查？
