集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2019.04.25)

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1.問答題兩管與非門有哪些缺點(diǎn)，四管及五管與非門的結(jié)構(gòu)相對(duì)于兩管與非門在哪些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管與非門對(duì)靜態(tài)和動(dòng)態(tài)有哪些方面的改進(jìn)。

參考答案：兩管與非門：輸出高電平低，瞬時(shí)特性差。
四管與非門：輸出采用圖騰柱結(jié)構(gòu)Q3--D，由于D是多子器件，他會(huì)使Tp...

2.問答題離子注入法有哪些優(yōu)點(diǎn)？

參考答案：摻雜的過程可通過調(diào)整雜質(zhì)劑量及能量來(lái)精確控制雜質(zhì)分布，可進(jìn)行小劑量和極小深度的摻雜較低的工藝溫度，故光刻膠可用作掩膜可供...

3.問答題液態(tài)生長(zhǎng)有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

最簡(jiǎn)單最廉價(jià)但其外延層的質(zhì)量不高

4.問答題簡(jiǎn)述硅單晶研磨清洗的重要性。

參考答案：硅片清洗的重要性：硅片表面層原子因垂直切片方向的化學(xué)鍵被破壞成為懸掛鍵，形成表面附近的自由力場(chǎng)，極易吸附各種雜質(zhì)，如顆粒...

5.問答題MOS管的哪些參數(shù)隨溫度變化？如何變化？

溝道中載流子的遷移率µ和閾值電壓VT隨溫度，所以T升高gm降低。
閾值電壓的絕對(duì)值同樣是隨著溫度的升高而減小。

6.問答題集成電路中的無(wú)源器件有哪些？

互聯(lián)線、電阻、電容、電感、傳輸線等

7.問答題離子注入后退火的作用是什么？

作用是激活注入的離子，恢復(fù)遷移率及其他材料參數(shù)。

8.問答題什么是負(fù)光刻膠？

負(fù)光刻膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留，未曝光區(qū)在顯影中除去，負(fù)膠多由長(zhǎng)鏈高分子有機(jī)物組成

9.問答題集成電路中，有源器件是指哪些種類的晶體管？

BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT

10.問答題什么是贗晶或贗配HEMT？

因?yàn)镮n原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象