集成電路技術綜合練習章節(jié)練習(2018.02.21)
來源：考試資料網
參考答案：因為氧化層中如含有高濃度的鈉，則線性和拋物型氧化速率常數明顯變大。措施有：加強工藝衛(wèi)生方可以避免Na+沾污；也可采用摻氯... 參考答案：以雙極性硅為基礎的ECL技術、PMOS技術、NMOS技術，雙極性硅或硅鍺異質結晶體管加CMOS的BiCMOS技術和GaA... 參考答案：
形成某種材料的薄膜；在各種材料的薄膜上形成需要的圖形；通過摻雜改變材料的電阻率或雜質類型。
參考答案：采用負載電阻會占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負載電阻小，并且有源負載反相器電路比無源負載反相器有更好的... 參考答案：
發(fā)射結的注入、基區(qū)中的輸運與復合和集電區(qū)的收集
參考答案：接觸和非接觸兩種，非接觸分為接近式和投影式
接觸式：精確度高，但掩膜易磨損，消耗大非接觸式
接近式：... 參考答案：
設計資料庫、電路編輯環(huán)境、電路仿真工具、版圖設計工具、版圖驗證工具
參考答案：
多晶硅-擴散區(qū)電容、多晶硅-多晶硅電容、MOS電容、夾心電容
