已知一維晶體的電子能帶可寫(xiě)為:式中:a為晶格常數(shù),試求: (1)能帶的寬度; (2)電子在波矢k的狀態(tài)時(shí)的速度; (3)能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量。
設(shè)u代表形成一個(gè)弗侖克兒缺陷所需的能量,證明在溫度T時(shí),達(dá)到熱平衡的晶體中弗侖克兒缺陷的數(shù)目為式中,N、N′分別代表晶體中的原子總數(shù)和間隙位置數(shù)。