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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明CMOS工藝在硅片上形成氧化物的主要方法，以及他們間的本質(zhì)區(qū)別。
答案：
硅片上的氧化物有許多種方法產(chǎn)生：熱生長(zhǎng)和淀積，包括：熱氧化法、CVD、熱分解淀積法、陽(yáng)極氧化法、反應(yīng)濺射法等。
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】CMOS工藝中為什么要形成側(cè)墻？在哪一個(gè)工藝環(huán)節(jié)形成及為什么？并說(shuō)明其形成步驟及主要作用。
答案：
步驟：
1）淀積二氧化硅
2）二氧化硅反刻
作用：用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵，作為n+和p+源漏注入...
1）淀積二氧化硅
2）二氧化硅反刻
作用：用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵，作為n+和p+源漏注入...
問(wèn)答題
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答案：
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