- 搜標題
- 搜題干
- 搜選項
問答題
【簡答題】試說明雙阱CMOS工藝中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
答案：
N阱，P阱，多晶硅柵，N+源漏，P+源漏，接觸孔，通孔，金屬互聯(lián)及鈍化孔。
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】試說明LOCOS和STI中淀積的襯墊氧化硅層以及場注的主要作用。
答案：
墊養(yǎng)的作用：LOCOS和STI中都是作為緩沖層，用于減緩硅襯底與隨后淀積的氮化硅之間的應(yīng)力，改善硅與溝槽填充氧化物間的界...
