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【簡答題】亞微米CMOS工藝采用的標(biāo)準(zhǔn)隔離技術(shù)是什么?試說明其主要工藝步驟。
答案:
淺槽溝道隔離(STI)技術(shù)
步驟:
Deposit Nitride,Oxide;
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【簡答題】試說明什么是LOCOS和它的主要作用以及該工藝的主要步驟,并說明該工藝存在的主要問題和解決方法。
答案:
LOCOS即硅的局部氧化隔離技術(shù),是亞微米以前的硅IC制造的標(biāo)準(zhǔn)隔離技術(shù)。它是采用選擇氧化方法來制備厚的場氧化層,且工藝...
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【簡答題】試說明MOS IC中器件之間是如何隔離的,并說明器件隔離的主要作用和基本方法。
答案:
如何隔離:由于MOS晶體管之間不共享電器件,所以器件本身就是被pn結(jié)隔離;但器件會存在漏電流以及寄生的場效應(yīng)晶體管,所以...
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