- 搜標題
- 搜題干
- 搜選項
問答題
【案例分析題】玉米卷葉基因（e）和矮稈基因（d）位于第三染色體上，相距18個單位，而抗銹基因（R）和窄葉基因（N）位于第10染色體上，相距24個單位。顯性基因E、D、R和N的純合植株同這些基因的隱性植株雜交，確定：在F2代中穩(wěn)定的矮稈、抗銹和正常葉的植株的期望百分率是多少？
答案：
所需基因型是EEddRRNN，3.42/100*（3.42/100）=0.12%.
你可能感興趣的試題
問答題
【【案例分析題】】玉米卷葉基因（e）和矮稈基因（d）位于第三染色體上，相距18個單位，而抗銹基因（R）和窄葉基因（N）位于第10染色體上，相距24個單位。顯性基因E、D、R和N的純合植株同這些基因的隱性植株雜交，確定：在F2代中穩(wěn)定的矮稈、抗銹和正常葉的植株的期望百分率是多少？
答案：
所需基因型是EEddRRNN，3.42/100*（3.42/100）=0.12%.
