問答題

【簡答題】試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

答案： 在晶圓表面產(chǎn)生特定數(shù)量的摻雜原子；
在晶圓表面下的特定位置處形成pn結(jié)；
在晶圓表面層形成特定的摻雜...
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問答題

【簡答題】明兩步擴散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。
答案： 第一步：恒定表面濃度的擴散（預(yù)沉積擴散Pre-deposition）；
目的：控制摻入的雜質(zhì)總量；
...
問答題

【簡答題】解釋有限表面源擴散，列出有限表面源擴散的三種主要工藝參數(shù)，并說明其含義和主要影響因素。
答案： 擴散前先在硅片表面淀積一定數(shù)量的雜質(zhì)，然后在整個擴散過程中將這層雜質(zhì)作為擴散的雜質(zhì)源，不再有新源補充，這種擴散方式稱為有...
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