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問答題
【簡(jiǎn)答題】明兩步擴(kuò)散法的基本思想,及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
答案:
第一步:恒定表面濃度的擴(kuò)散(預(yù)沉積擴(kuò)散Pre-deposition);
目的:控制摻入的雜質(zhì)總量;
...
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問答題
【簡(jiǎn)答題】解釋有限表面源擴(kuò)散,列出有限表面源擴(kuò)散的三種主要工藝參數(shù),并說明其含義和主要影響因素。
答案:
擴(kuò)散前先在硅片表面淀積一定數(shù)量的雜質(zhì),然后在整個(gè)擴(kuò)散過程中將這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源,不再有新源補(bǔ)充,這種擴(kuò)散方式稱為有...
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【簡(jiǎn)答題】列出恒定表面源擴(kuò)散的三種主要工藝參數(shù),并說明其含義和主要影響因素。
答案:
摻雜劑量(Predeposition dose):?jiǎn)挝幻娣e硅片內(nèi)的雜質(zhì)數(shù)。
對(duì)于恒定表面源擴(kuò)散,由于...
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