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Smart-Cut
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只能剝離技術是一種注入氫離子然后進行剝離的技術,即在鍵合的一片晶片上注入氫離子,然后和另一硅片在一定溫度下鍵合,鍵合熱處...
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SIMOX
答案:
通過氧離子注入到硅片,與硅發(fā)生反應形成二氧化硅沉淀物,再經高溫退火過程形成SiO
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層,同時消除注入缺陷。
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SOI技術
答案:
稱絕緣層上硅,把器件做在絕緣襯底生長的硅單晶層上。
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