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SIMOX
答案:
通過氧離子注入到硅片,與硅發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅沉淀物,再經(jīng)高溫退火過程形成SiO
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層,同時消除注入缺陷。
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SOI技術(shù)
答案:
稱絕緣層上硅,把器件做在絕緣襯底生長的硅單晶層上。
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SOS技術(shù)
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