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判斷題

通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。

答案：正確

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單項(xiàng)選擇題

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

A.對(duì)光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕

單項(xiàng)選擇題

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD

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