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單項(xiàng)選擇題

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD

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提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

答案：正確

MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。

答案：錯(cuò)誤