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問答題
【簡答題】半導體工藝中是如何形成PN結(jié)的?什么是結(jié)深?
答案:
根據(jù)雜質(zhì)補償原理,利用熱擴散或離子注入的摻雜技術(shù),在N型和P型之間雜質(zhì)濃度相等處形成PN結(jié)。摻雜硅與硅襯底在雜質(zhì)濃度相等...
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問答題
【簡答題】摻雜的主要目的是什么?給出硅片制造中的三種主要摻雜應(yīng)用。
答案:
摻雜被廣泛應(yīng)用于硅片制造的全過程,是改變材料性能,改變晶片電學性質(zhì)、實現(xiàn)器件和電路縱向結(jié)構(gòu)的重要手段。
利用摻...
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【簡答題】
根據(jù)下圖給出的一氧化工藝的菜單實例,試說明:
(1)該工藝采用的氧化方法
(2)每一步驟的具體作用(或狀態(tài))
(3)氮氣在整個工藝流程中的作用
(4)工藝過程中加入HCl的主要作用
答案:
(1)干氧摻氯氧化;柵氧
(2)作用:見表中注釋
(3)第0~3步:去除雜質(zhì)氣體,同時起保壓作用
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