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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】實(shí)際氧化工藝為什么要采用先干氧、再濕氧、最后再干氧的氧化方法？
答案：
干氧的氧化速率最慢，但其氧化層質(zhì)量最好。濕氧的氧化速率快，但其氧化層質(zhì)量不如干氧工藝。實(shí)際氧化工藝多采用干氧-濕氧-干氧...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為什么氧化層厚度越厚，熱氧化生長(zhǎng)的速率越慢？
答案：
根據(jù)熱氧化的生長(zhǎng)機(jī)理，氧化劑（O2或H2O）若要與襯底Si反應(yīng)生成SiO
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】Si片定位邊或定位槽的作用是什么？
答案：
Si片定位邊或定位槽有三個(gè)主要的作用：
①識(shí)別晶向、導(dǎo)電類型及劃片方向；
②硅片（晶錠）機(jī)械加工定位...
①識(shí)別晶向、導(dǎo)電類型及劃片方向；
②硅片（晶錠）機(jī)械加工定位...
