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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照存、取功能上的不同可分為()和()兩大類。其中只讀存儲(chǔ)器ROM事先存入的信息不會(huì)因?yàn)橄码姸鴣G失;而隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM關(guān)閉電源或發(fā)生斷電時(shí),其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。
答案:
只讀存儲(chǔ)器ROM;隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM
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填空題
EPROM的存儲(chǔ)單元是在MOS管中置入()的方法實(shí)現(xiàn)的。寫入程序時(shí),在漏極和襯底之間加足夠高的反向脈沖電壓,可使PN結(jié)產(chǎn)生雪崩擊穿,產(chǎn)生的高能電子穿透二氧化硅絕緣層進(jìn)入浮置柵中。當(dāng)將外部提供的電源去掉后,()中的電子無放電回路而被保留下來。
答案:
浮置柵;浮置柵
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單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)邏輯門可以實(shí)現(xiàn)吸收大負(fù)載電流功能()
A.鹵門
B.三態(tài)門
C.傳輸門
D.OD門
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