填空題

EPROM的存儲單元是在MOS管中置入（）的方法實現(xiàn)的。寫入程序時，在漏極和襯底之間加足夠高的反向脈沖電壓，可使PN結產生雪崩擊穿，產生的高能電子穿透二氧化硅絕緣層進入浮置柵中。當將外部提供的電源去掉后，（）中的電子無放電回路而被保留下來。

答案： 浮置柵；浮置柵
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