填空題

EPROM的存儲(chǔ)單元是在MOS管中置入（）的方法實(shí)現(xiàn)的。寫入程序時(shí)，在漏極和襯底之間加足夠高的反向脈沖電壓，可使PN結(jié)產(chǎn)生雪崩擊穿，產(chǎn)生的高能電子穿透二氧化硅絕緣層進(jìn)入浮置柵中。當(dāng)將外部提供的電源去掉后，（）中的電子無放電回路而被保留下來。

答案： 浮置柵；浮置柵
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